SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А

SIRA90DP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

399.49 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
250+
500+
1000+
1500+
Цена
277.68 ₽
204.43 ₽
179.73 ₽
155.88 ₽
140.55 ₽
134.58 ₽
129.47 ₽
Доступность: 2208 шт.
 

Минимальное количество для товара "SIRA90DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 100А; Idm: 400А" 1.

Артикул производителя
SIRA90DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
153нC
Код производителя
SIRA90DP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
66,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
1,15мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
100А
Ток стока в импульсном режиме
400А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России