SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А

SIRA96DP-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

130.32 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
Цена
86.03 ₽
70.70 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIRA96DP-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 12А; Idm: 65А" 1.

Артикул производителя
SIRA96DP-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
31нC
Код производителя
SIRA96DP-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
22,2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12А
Ток стока в импульсном режиме
65А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России