SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт

SIS106DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

281.09 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
500+
Цена
183.99 ₽
155.88 ₽
125.21 ₽
119.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 16А; Idm: 40А; 15Вт" 1.

Артикул производителя
SIS106DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13,5нC
Код производителя
SIS106DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
15Вт
Сопротивление в открытом состоянии
22,5мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России