Москва
 +7(993)080-09-37

SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А

Написать отзыв
SIS128LDN-T1-GE3
216.77 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
Цена
150.30 ₽
125.38 ₽
109.52 ₽
95.92 ₽
86.86 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 26,9А; Idm: 70А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS128LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SIS128LDN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
26,9А
Ток стока в импульсном режиме
70А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России