SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт

SIS410DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

290.46 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
230.83 ₽
198.47 ₽
162.69 ₽
142.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS410DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 35А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SIS410DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
41нC
Код производителя
SIS410DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
35А
Ток стока в импульсном режиме
60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России