Москва
 +7(993)080-09-37

SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт

Написать отзыв
SIS412DN-T1-GE3
111.03 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
80.82 ₽
62.69 ₽
58.91 ₽
Доступность: 2282 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS412DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS412DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
12нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SIS412DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
10Вт
Сопротивление в открытом состоянии
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
12А
Ток стока в импульсном режиме
30А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России