Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А

Написать отзыв
SIS4608LDN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
213.80 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
155.03 ₽
114.99 ₽
101.36 ₽
81.77 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS4608LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 28,9А; Idm: 100А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS4608LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
23нC
Код производителя
SIS4608LDN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
17,4Вт
Сопротивление в открытом состоянии
15,3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
28,9А
Ток стока в импульсном режиме
100А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России