Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А

Написать отзыв
SIS698DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
209.54 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
100+
500+
Цена
164.40 ₽
141.40 ₽
88.59 ₽
85.18 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS698DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 5,5А; Idm: 10А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS698DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8нC
Код производителя
SIS698DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
12,7Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,23Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
5,5А
Ток стока в импульсном режиме
10А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России