Москва
 +7(993)080-09-37

SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А

Написать отзыв
SIS890ADN-T1-GE3
212.24 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
138.22 ₽
100.45 ₽
80.06 ₽
79.31 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
29нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
SIS890ADN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
19,8А
Ток стока в импульсном режиме
40А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России