SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А

SIS890ADN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

239.35 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
155.88 ₽
113.29 ₽
90.29 ₽
89.44 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS890ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 19,8А; Idm: 40А" 1.

Артикул производителя
SIS890ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
29нC
Код производителя
SIS890ADN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
25Вт
Сопротивление в открытом состоянии
29мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
19,8А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России