SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт

SIS892DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

327.09 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
250+
500+
1000+
3000+
Цена
226.58 ₽
200.17 ₽
166.95 ₽
149.91 ₽
136.29 ₽
128.62 ₽
122.66 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SIS892DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 27А; Idm: 50А; 43Вт" 1.

Артикул производителя
SIS892DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
21,5нC
Код производителя
SIS892DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
43Вт
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
27А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России