Москва
 +7(993)080-09-37

SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А

Написать отзыв
SISA40DN-T1-GE3
187.31 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
129.15 ₽
92.90 ₽
81.57 ₽
73.26 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISA40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 129А; Idm: 150А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISA40DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
53нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-8...12В
Напряжение сток-исток
20В
Обозначение производителя
SISA40DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
42мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
129А
Ток стока в импульсном режиме
150А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России