Москва
 +7(499)550-50-61
VISHAY

SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт

Написать отзыв
SISH106DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

Бренд: VISHAY
404.60 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
100+
Цена
281.09 ₽
235.95 ₽
212.10 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISH106DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 15,6А; Idm: 60А; 2Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISH106DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
27нC
Код производителя
SISH106DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
9,8мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
15,6А
Ток стока в импульсном режиме
60А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России