Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
23нC
Код производителя
SISH116DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
13,1А
Ток стока в импульсном режиме
60А
Отзывы не найдены