SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт

SISH472DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

149.06 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
101.36 ₽
71.55 ₽
65.59 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISH472DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 20А; Idm: 50А; 18Вт" 1.

Артикул производителя
SISH472DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
30нC
Код производителя
SISH472DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
18Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,4мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
20А
Ток стока в импульсном режиме
50А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России