SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А

SISH892BDN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

212.10 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
156.73 ₽
88.59 ₽
81.77 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISH892BDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 16А; Idm: 40А" 1.

Артикул производителя
SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
26,5нC
Код производителя
SISH892BDN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® SO8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
18,6Вт
Сопротивление в открытом состоянии
34,7мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
16А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России