SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт

SISHA12ADN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

209.54 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
134.58 ₽
90.29 ₽
84.33 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISHA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт" 1.

Артикул производителя
SISHA12ADN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
45нC
Код производителя
SISHA12ADN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
18Вт
Сопротивление в открытом состоянии
6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
25А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России