SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт

SISS28DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

247.02 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
223.17 ₽
196.76 ₽
178.02 ₽
165.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS28DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 25В; 60А; Idm: 150А; 36Вт" 1.

Артикул производителя
SISS28DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
75нC
Код производителя
SISS28DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
25В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,24мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
60А
Ток стока в импульсном режиме
150А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России