Москва
 +7(993)080-09-37

SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт

Написать отзыв
SISS30LDN-T1-GE3
290.79 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
192.60 ₽
131.42 ₽
124.62 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISS30LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 80В; 44А; Idm: 120А; 36Вт" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISS30LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
50нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
80В
Обозначение производителя
SISS30LDN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
12,2мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
44А
Ток стока в импульсном режиме
120А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России