SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт

SISS40DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

155.88 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
6000+
Цена
139.69 ₽
130.32 ₽
122.66 ₽
115.84 ₽
113.29 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS40DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 29А; Idm: 60А; 33Вт" 1.

Артикул производителя
SISS40DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
24нC
Код производителя
SISS40DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
33Вт
Сопротивление в открытом состоянии
26мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
29А
Ток стока в импульсном режиме
60А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России