SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А

SISS42LDN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

329.64 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
250+
Цена
230.83 ₽
193.36 ₽
168.65 ₽
148.21 ₽
140.55 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS42LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 31,2А; Idm: 80А" 1.

Артикул производителя
SISS42LDN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
48нC
Код производителя
SISS42LDN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
31,2А
Ток стока в импульсном режиме
80А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России