SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А

SISS46DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

406.30 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
327.94 ₽
282.79 ₽
232.54 ₽
213.80 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS46DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 36,2А; Idm: 100А" 1.

Артикул производителя
SISS46DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
42нC
Код производителя
SISS46DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42Вт
Сопротивление в открытом состоянии
14,6мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
36,2А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России