Москва
 +7(993)080-09-37

SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А

Написать отзыв
SISS60DN-T1-GE3
324.02 ₽
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
Цена
210.73 ₽
149.55 ₽
142.75 ₽
Доступность: Предзаказ

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SISS60DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 145,4А" 1.

Отложить
Артикул производителя
SISS60DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
85,5нC
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-12...16В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SISS60DN-T1-GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,01мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
145,4А
Ток стока в импульсном режиме
200А
Найти похожие

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России