SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А

SISS64DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

247.02 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
Цена
206.13 ₽
148.21 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS64DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 40А" 1.

Артикул производителя
SISS64DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
68нC
Код производителя
SISS64DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,86мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
40А
Ток стока в импульсном режиме
100А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России