SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А

SISS66DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

365.42 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
250+
Цена
240.20 ₽
165.25 ₽
160.99 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS66DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; полевой; 30В; 142,6А" 1.

Артикул производителя
SISS66DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
85,5нC
Код производителя
SISS66DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-16...20В
Напряжение сток-исток
30В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
2,19мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET + Schottky
Ток стока
142,6А
Ток стока в импульсном режиме
200А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России