SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А

SISS80DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

418.23 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
15+
25+
75+
100+
Цена
265.76 ₽
237.65 ₽
207.84 ₽
165.25 ₽
160.99 ₽
Доступность: 5785 шт.
 

Минимальное количество для товара "SISS80DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 20В; 169А; Idm: 300А" 1.

Артикул производителя
SISS80DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
122нC
Код производителя
SISS80DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-8...12В
Напряжение сток-исток
20В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
42Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3мОм
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
169А
Ток стока в импульсном режиме
300А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России