SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А

SISS98DN-T1-GE3

Срок поставки 4-6 недель

290.46 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
10+
25+
100+
Цена
230.83 ₽
198.47 ₽
168.65 ₽
165.25 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SISS98DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; ThunderFET; полевой; 200В; 11,2А; Idm: 30А" 1.

Артикул производителя
SISS98DN-T1-GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
18,2нC
Код производителя
SISS98DN-T1-GE3
Корпус
PowerPAK® 1212-8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
200В
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
36Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Технология
ThunderFET
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
11,2А
Ток стока в импульсном режиме
30А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России