Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
8,2А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
SMA flat
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
33,5...37,1В
Обозначение производителя
SMA4F30AH
Обратное напряжение макс.
30В
Погрешность
±5%
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,4кВт
Серия производителя
SMA4F
Тип диода
TVS
Ток утечки
1мкА
Отзывы не найдены