SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO263

SPB11N60C3ATMA1

Срок поставки 4-6 недель

0.00 
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "SPB11N60C3ATMA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 7А; Idm: 33А; 125Вт; PG-TO263" 1.

Артикул производителя
SPB11N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Код производителя
SPB11N60C3ATMA1
Корпус
PG-TO263
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Рассеиваемая мощность
125Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,38Ом
Технология
CoolMOS™
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
33А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России