SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А

SQ1470AEH-T1-GE3
133.69 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
1000+
1500+
Цена
91.39 ₽
64.95 ₽
56.65 ₽
40.79 ₽
36.25 ₽
34.74 ₽
Доступность: 2893 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SQ1470AEH-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 1,7А; Idm: 6,7А" 1.

Артикул производителя
SQ1470AEH-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
5,2нC
Корпус
SC70, SOT363
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±12В
Напряжение сток-исток
30В
Обозначение производителя
SQ1470AEH-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,115Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,7А
Ток стока в импульсном режиме
6,7А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России