SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт

SQ2308CES-T1-GE3
114.80 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
500+
Цена
72.51 ₽
58.16 ₽
52.11 ₽
47.58 ₽
Доступность: 57 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SQ2308CES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 2А; Idm: 9А; 2Вт" 1.

Артикул производителя
SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
3,5нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
60В
Обозначение производителя
SQ2308CES-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,325Ом
Технология
TrenchFET®
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме

Отзывы не найдены

Описание (sq2308ces.pdf, 215 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России