SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23

SQ2318AES-T1-GE3
111.03 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
50+
100+
250+
500+
650+
1000+
3000+
Цена
81.57 ₽
61.93 ₽
56.65 ₽
49.85 ₽
45.32 ₽
43.81 ₽
40.79 ₽
38.52 ₽
Доступность: 2 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "SQ2318AES-T1_GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 40В; 4,6А; 1Вт; SOT23" 1.

Артикул производителя
SQ2318AES-T1_GE3 VISHAY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
8,7нC
Корпус
SOT23
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
40В
Обозначение производителя
SQ2318AES-T1_GE3
Полярность
полевой
Производитель
VISHAY
Рассеиваемая мощность
1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
4,6А

Отзывы не найдены

Описание (sq2318aes.pdf, 265 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России