STB100N10F7, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 70А; Idm: 320А

STB100N10F7

Срок поставки 4-6 недель

543.44 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
100+
Цена
365.42 ₽
301.53 ₽
298.13 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "STB100N10F7, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ F7; полевой; 100В; 70А; Idm: 320А" 1.

Артикул производителя
STB100N10F7 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
61нC
Код производителя
STB100N10F7
Корпус
D2PAK
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
150Вт
Сопротивление в открытом состоянии
8мОм
Технология
STripFET™ F7
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
70А
Ток стока в импульсном режиме
320А

Отзывы не найдены

Описание (std100n10f7.pdf, 666 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России