STP11N60DM2, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 6,3А; Idm: 40А

STP11N60DM2

Срок поставки 4-6 недель

327.38 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
50+
Цена
193.03 ₽
177.72 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "STP11N60DM2, Транзистор: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; полевой; 600В; 6,3А; Idm: 40А" 1.

Артикул производителя
STP11N60DM2 STMicroelectronics
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
16,5нC
Код производителя
STP11N60DM2
Корпус
TO220-3
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
±25В
Напряжение сток-исток
600В
Полярность
полевой
Производитель
STMicroelectronics
Рассеиваемая мощность
110Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,42Ом
Технология
MDmesh™ DM2
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
6,3А
Ток стока в импульсном режиме
40А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России