Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
3А
Конструкция диода
двунаправленный
Корпус
DFN1006-2
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
6...9,8В
Обозначение производителя
TESD5V0L1UC RJG
Обратное напряжение макс.
5В
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
0,1кВт
Тип диода
TVS
Ток утечки
0,1мкА
Отзывы не найдены