Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
86А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO218AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
36,7...40,6В
Обозначение производителя
TLD6S33AH
Обратное напряжение макс.
33В
Погрешность
±5%
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
4,6кВт
Серия производителя
TLD6S
Тип диода
TVS
Ток утечки
10мкА
Отзывы не найдены