Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
157А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO218AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
28,9...31,9В
Обозначение производителя
TLD8S26AH
Обратное напряжение макс.
26В
Погрешность
±5%
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
6,6кВт
Серия производителя
TLD8S
Тип диода
TVS
Ток утечки
10мкА
Отзывы не найдены