Вид упаковки
бобина, лента
Импульсный ток
136А
Конструкция диода
однонаправленный
Корпус
DO218AB
Монтаж
SMD
Напряжение пробоя
33,3...36,8В
Обозначение производителя
TLD8S30AH
Обратное напряжение макс.
30В
Погрешность
±5%
Применение
автомобильная отрасль
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
6,6кВт
Серия производителя
TLD8S
Тип диода
TVS
Ток утечки
10мкА
Отзывы не найдены