TSG65N110CE RVG, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 18А; Idm: 35А; PDFN88

TSG65N110CE-RVG

Срок поставки 4-6 недель

3 423.34 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
3000+
Цена
3 076.66 ₽
2 729.98 ₽
2 447.19 ₽
2 275.13 ₽
2 120.95 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "TSG65N110CE RVG, Транзистор: N-JFET; GaN; полевой; HEMT; 650В; 18А; Idm: 35А; PDFN88" 1.

Артикул производителя
TSG65N110CE RVG TAIWAN SEMICONDUCTOR
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид транзистора
HEMT
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
4нC
Код производителя
TSG65N110CE RVG
Корпус
PDFN88
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
-10...7В
Напряжение сток-исток
650В
Полярность
полевой
Производитель
TAIWAN SEMICONDUCTOR
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Технология
GaN
Тип транзистора
N-JFET
Ток стока
18А
Ток стока в импульсном режиме
35А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России