WMO4N80D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт

WMO4N80D1B-CYG

Срок поставки 4-6 недель

50.26 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
50+
250+
1000+
2500+
Цена
50.26 ₽
36.63 ₽
32.37 ₽
28.96 ₽
27.26 ₽
26.41 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "WMO4N80D1B, Транзистор: N-MOSFET; WMOS™ D1; полевой; 800В; 4А; Idm: 16А; 96Вт" 3.

Артикул производителя
WMO4N80D1B WAYON
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
13нC
Код производителя
WMO4N80D1B
Корпус
TO252
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±30В
Напряжение сток-исток
800В
Полярность
полевой
Производитель
WAYON
Рассеиваемая мощность
96Вт
Сопротивление в открытом состоянии
3,5Ом
Технология
WMOS™ D1
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
Ток стока в импульсном режиме
16А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России