WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт

WNSCM80120R6Q
2 33239 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
10+
30+
Цена
2 104.17 ₽
1 859.85 ₽
1 672.35 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "WNSCM80120R6Q, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 32А; Idm: 81А; 270Вт" 1.

Артикул производителя
WNSCM80120R6Q WeEn Semiconductors
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
59нC
Корпус
TO247-4
Монтаж
THT
Напряжение затвор-исток
-10...25В
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Обозначение производителя
WNSCM80120R6Q
Полярность
полевой
Производитель
WeEn Semiconductors
Рассеиваемая мощность
270Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,11Ом
Технология
SiC
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
32А
Ток стока в импульсном режиме
81А
Характеристики полупроводниковых элементов
вывод Кельвина

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России

Гарантия качества и сервисное обслуживание

Мы предлагаем только те товары, в качестве которых мы уверены