YJQ35G10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт

YJQ35G10A-YAN

Срок поставки 4-6 недель

50.26 
Оптовые цены:
Кол-во
3+
25+
100+
250+
1000+
Цена
50.26 ₽
34.07 ₽
30.66 ₽
27.26 ₽
23.00 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "YJQ35G10A, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 35А; Idm: 120А; 54Вт" 3.

Артикул производителя
YJQ35G10A YANGJIE TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
20нC
Код производителя
YJQ35G10A
Корпус
DFN3.3x3.3
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
54Вт
Сопротивление в открытом состоянии
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
35А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России