YJS12N10A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 100В; 7,6А; SOP8

YJS12N10A-YAN

Срок поставки 4-6 недель

149.91 
Оптовые цены:
Кол-во
5+
25+
100+
500+
Цена
54.51 ₽
48.55 ₽
43.44 ₽
40.03 ₽
Доступность: Предзаказ
 

Минимальное количество для товара "YJS12N10A, Транзистор: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; полевой; 100В; 7,6А; SOP8" 1.

Артикул производителя
YJS12N10A YANGJIE TECHNOLOGY
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Заряд затвора
80нC
Код производителя
YJS12N10A
Корпус
SOP8
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
YANGJIE TECHNOLOGY
Рассеиваемая мощность
3,3Вт
Сопротивление в открытом состоянии
17мОм
Технология
SPLIT GATE TRENCH
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
7,6А
Ток стока в импульсном режиме
120А

Отзывы не найдены

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России