ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223

ZXMN10A11GTA

Срок поставки 4-6 недель

201.87 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
100+
500+
1000+
Цена
126.06 ₽
82.62 ₽
63.88 ₽
61.33 ₽
Доступность: 296 шт.
 

Минимальное количество для товара "ZXMN10A11GTA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,9А; 2Вт; SOT223" 1.

Артикул производителя
ZXMN10A11GTA DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Код производителя
ZXMN10A11GTA
Корпус
SOT223
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Полярность
полевой
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность
2Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,9А

Отзывы не найдены

Описание (zxmn10a11g.pdf, 570 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России