ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26

ZXMN10B08E6TA
175.02 
Оптовые цены:
Кол-во
10+
25+
50+
100+
500+
1000+
Цена
123.41 ₽
103.22 ₽
89.75 ₽
78.53 ₽
57.59 ₽
54.60 ₽
Доступность: 72 шт.

Срок поставки 4-6 недель

 

Минимальное количество для товара "ZXMN10B08E6TA, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 1,5А; 1,1Вт; SOT26" 1.

Артикул производителя
ZXMN10B08E6TA DIODES INCORPORATED
Доставка
Варианты оплаты
  • — Работаем только юр. лицами
  • — Оплата по счету


Вид канала
обогащенный
Вид упаковки
бобина, лента
Корпус
SOT26
Монтаж
SMD
Напряжение затвор-исток
±20В
Напряжение сток-исток
100В
Обозначение производителя
ZXMN10B08E6TA
Полярность
полевой
Производитель
DIODES INCORPORATED
Рассеиваемая мощность
1,1Вт
Сопротивление в открытом состоянии
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Ток стока
1,5А

Отзывы не найдены

Описание (zxmn10b08e6.pdf, 320 Kb) [ Скачать ]

Возможно, вас это заинтересует
  • Недавно просмотренные
 
Быстро и качественно доставляем

Наша компания производит доставку по всей России