Товары от производителя ROHM SEMICONDUCTOR - страница 42

Вид упаковкибобина, лента Код производителяYFZVFHTR5.6B Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323HE МонтажSMD
78.77 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YFZVFHTR5.6B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 5,6В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 5мкА" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяYFZVFHTR8.2B Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323HE МонтажSMD
58.04 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YFZVFHTR8.2B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 8,2В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА" 1.

Вид упаковкибобина, лента Код производителяYFZVFHTR9.1B Конструкция диодаодиночный диод КорпусSOD323HE МонтажSMD
55.56 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "YFZVFHTR9.1B, Диод: стабилитрон; 500мВт; 9,1В; SMD; бобина,лента; SOD323HE; 500нА" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителя2SK3065T100 КорпусSC62
119.40 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "2SK3065T100, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 2А; Idm: 8А; 0,5Вт; SC62; ESD" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяBSS84AHZGT116 КорпусSOT23 МонтажSMD
80.43 
Доступность: 314 шт.
 

Минимальное количество для товара "BSS84AHZGT116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяBSS84T116 КорпусSOT23 МонтажSMD
53.07 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "BSS84T116, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -60В; -230мА; Idm: -0,92А" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора1,4нC Код производителяEM6J1T2R
121.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6J1T2R, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; 200мА; Idm: -0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K31T2R КорпусSOT563
133.50 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K31T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 60В; 250мА; Idm: 1А; 150мВт; ESD" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K33T2R КорпусSOT563
101.16 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K33T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K34T2CR КорпусSOT563
72.14 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K34T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 50В; 200мА; Idm: 0,8А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K6T2R КорпусSOT563
108.62 
Доступность: 7850 шт.
 

Минимальное количество для товара "EM6K6T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 300мА; Idm: 0,6А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K7T2CR КорпусSOT563
107.79 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2CR, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6K7T2R КорпусSOT563
115.26 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6K7T2R, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 20В; 200мА; Idm: 0,4А; 150мВт" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Код производителяEM6M2T2R
87.89 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "EM6M2T2R, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 20/-20В" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора24нC Код производителяHP8KA1TB Конструкция диодаобщий сток
270.32 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8KA1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 14А; Idm: 28А; 3Вт; HSOP8" 1.

ВерсияESD Вид каналаобогащенный Вид транзисторадополнительная пара Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора12,3/38нC
111.94 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M31TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; дополнительная пара; 60/-60В" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора15/26,2нC Код производителяHP8M51TB1 КорпусHSOP8
83.75 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8M51TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 100/-100В; 4,5/-4,5А; Idm: 18А" 2500.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора22/25нC Код производителяHP8MA2TB1 КорпусHSOP8
319.24 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HP8MA2TB1, Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; 30/-30В; 18/-15А; Idm: 48А; 7Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора11,1/20,2C Код производителяHS8K11TB КорпусuDFN8
156.72 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K11TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 7/11А; Idm: 28÷44А; 2Вт" 1.

Вид каналаобогащенный Вид упаковкибобина, лента Заряд затвора6/7,4нC Код производителяHS8K1TB КорпусuDFN8
135.99 
Нет в наличии
 

Минимальное количество для товара "HS8K1TB, Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 30В; 10/11А; Idm: 40÷44А; 2Вт" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Срок поставки
Вид логич. элем.
Вид микросхемы
Вид стабилизатора напряжения
Порог напряжения срабатывания
Тип диода
Тип микросхемы
Тип транзистора
Виды интерфейса
Выходная мощность
Кол-во выводов
Конструкция диода
Конфигурация выхода
Напряжение коллектор-эмиттер
Память
Полярность
Рабочее напряжение
Топология
Цвет диодa LED
Активное состояние
Версия
Длина волны λd
Кол-во каналов
Кол-во компараторов
Разрешение преобразователя
Структура памяти
Тактовая частота
Ток диода LED
Ток коллектора
Частота
Вид выхода
Вид выхода RESET
Емкость
Импеданс
Количество входов
Напряжение пробоя
Напряжение стабилизации
Обратное напряжение макс.
Погрешность
Применение
Рассеиваемая мощность
Ток выхода макс.
Управляющее напряжение
Шаг выводов
Вид входа
Входное напряжение
Выходное напряжение
Диапазон напряжения питания
Импульсный ток
Мощность
Напряжение затвор - эмиттер
Напряжение сток-исток
Полоса передаваемых частот
Прямой ток
Серия производителя
Сила света
Время доступа
Диаметр диода LED
Интерфейс
Исполнение диода LED
Корпус
Линза диода
Падение напряжения макс.
Размеры
Рассеиваемая мощность в импульсе макс.
Ток стока
Вид памяти
Входное напряжение смещения
Защита
Коэффициент усиления
Коэффициент усиления по току
Монтаж
Обзор
Падение напряжения
Рабочая температура
Скорость нарастания напряжения
Сопротивление в открытом состоянии
Технология
Ток утечки
Вид канала
Заряд затвора
Поверхность
Вид транзистора
Время включения
Время готовности
Выходной ток
Напряжение затвор-исток
Прямой ток макс.
Max INL
Вид упаковки
Входной ток смещения
Ток коллектора в импульсе
Ток покоя
Толщина радитора
Max DNL
Поляризация входного тока
Ток питания DC
Ток стока в импульсном режиме
Хроматические координаты
Характеристики полупроводниковых элементов
Время выключения