Москва
Валюты:
₽
₽ $
 
+7(993)080-09-37
0Корзина

SEMIKRON DANFOSS

Сортировать по:
От А до Я
Показать:
20
SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX101GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD066HDS 27891200
73 321.74 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD066HDS 27891200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А
0.0
SEMIX101GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD126HDS 27890730
94 347.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD126HDS 27890730, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 75А" 1.

SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX101GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX101GD12E4S 27890195
85 022.92 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX101GD12E4S 27890195, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX106GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12M7P 27896100
107 147.83 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12M7P 27896100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX106GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX106GD12T4P 27896010
101 296.44 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX106GD12T4P 27896010, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ
0.0
SEMIX126DGL22P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX126DGL22P 27896300
86 668.77 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX126DGL22P 27896300, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 2,2кВ" 1.

SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAL12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12E4S 27890102
33 644.27 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12E4S 27890102, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAL12VS
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAL12VS 27890103
36 752.57 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAL12VS 27890103, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GAR12E4S
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GAR12E4S 27890104
33 277.47 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GAR12E4S 27890104, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12E4S 27890100
43 699.60 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12E4S 27890100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB12VS 27890101
50 283.00 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB12VS 27890101, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор
0.0
SEMIX151GB17E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX1S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GB17E4S 27892100
53 026.09 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GB17E4S 27892100, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD066HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD066HDS 27891210
90 142.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD066HDS 27891210, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А
0.0
SEMIX151GD126HDS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD126HDS 27890731
115 558.89 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD126HDS 27890731, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD12E4S
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12E4S 27890200
74 254.55 ₽
Доступность: 4 шт.
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12E4S 27890200, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX151GD12VS
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX151GD12VS 27890201
128 540.71 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX151GD12VS 27890201, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами
0.0
SEMIX155MLI07E4
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX155MLI07E4 21919410
109 342.29 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX155MLI07E4 21919410, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Urmax: 650В; Ic: 150А; винтами" 1.

SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами
0.0
SEMIX156GD12M7P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12M7P 27896110
116 472.73 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12M7P 27896110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А
0.0
SEMIX156GD12T4P
Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX156GD12T4P 27896020
128 357.31 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX156GD12T4P 27896020, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ
0.0
SEMIX186DGL16P
Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX186DGL16P 27896200
88 498.02 ₽
Нет в наличии
+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX186DGL16P 27896200, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,6кВ" 1.

Показать еще 20 товаров
Фильтры товаров
Воздушный поток
Размер вентилятора
Срок поставки
Уровень шума