semikron danfoss

SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12E4P 27895002

76 063.24 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12E4P 27895002, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB12M7P 27895102

78 624.51 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB12M7P 27895102, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX223GB17E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GB17E4P 27895402

90 509.09 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GB17E4P 27895402, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А

0.0

КОД:

SEMIX223GD12E4C

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX®33c Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX223GD12E4C 27890208

217 587.35 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX223GD12E4C 27890208, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 225А" 1.

SEMIX241DH16S 27890840, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 240А; Ifsm: 1,9кА

0.0

КОД:

SEMIX241DH16S

Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,9кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами

16 181.82 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX241DH16S 27890840, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 240А; Ifsm: 1,9кА" 1.

SEMIX245DH16 21920620, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 336А; Ifsm: 1,8кА

0.0

КОД:

SEMIX245DH16

Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,8кА КорпусSEMiX® 5 Механический монтажвинтами

37 666.40 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX245DH16 21920620, Диодный мост: полууправляемый; Urmax: 1,6кВ; If: 336А; Ifsm: 1,8кА" 1.

SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX252GB126HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX252GB126HDS 27890680

69 846.64 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX252GB126HDS 27890680, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами

0.0

КОД:

SEMIX256GD12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 6p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX256GD12M7P 27896130

159 990.51 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX256GD12M7P 27896130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; винтами" 1.

SEMIX291D16S 27890816, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 232А; Ifsm: 1,38кА

0.0

КОД:

SEMIX291D16S

Версияmодуль Выводывинты М6 Импульсный ток1,38кА КорпусSEMIX®13 Механический монтажвинтами

44 980.24 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX291D16S 27890816, Диодный мост: трехфазный; Urmax: 1,6кВ; If: 232А; Ifsm: 1,38кА" 1.

SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL12E4S 27890220

59 242.69 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL12E4S 27890220, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAL17E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAL17E4S 27892120

69 664.82 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAL17E4S 27892120, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302GAR12E4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GAR12E4S 27890222

58 510.67 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GAR12E4S 27890222, Модуль: IGBT; диод/транзистор; buck chopper,термистор; Ic: 300А" 1.

SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB066HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB066HDS 27891120

62 716.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB066HDS 27891120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12E4S 27890120

79 720.16 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12E4S 27890120, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB12VS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB12VS 27890121

95 445.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB12VS 27890121, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB176HDS

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB176HDS 27890470

93 799.21 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB176HDS 27890470, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX302GB17E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX302GB17E4S 27892110

99 650.59 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302GB17E4S 27892110, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX302KD16S 27890800, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 300А

0.0

КОД:

SEMIX302KD16S

Импульсный ток7,5кА Конструкция диодадва последовательных диода КорпусSEMIX2S Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KD16S 27890800

18 467.98 ₽

Доступность: 5 шт.

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KD16S 27890800, Модуль: диодный; два последовательных диода; 1,6кВ; If: 300А" 1.

SEMIX302KH16S 27890822, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; SEMIX2S; Ufmax: 1,7В

0.0

КОД:

SEMIX302KH16S

Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KH16S 27890822 Обратное напряжение макс.1,6кВ

46 077.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KH16S 27890822, Модуль: диодно-тиристорный; 1,6кВ; 300А; SEMIX2S; Ufmax: 1,7В" 1.

SEMIX302KT16S 27890820, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 300А

0.0

КОД:

SEMIX302KT16S

Импульсный ток9,3кА Конструкция диодадва последовательных диода Механический монтажвинтами Обозначение производителяSEMIX302KT16S 27890820 Обратное напряжение макс.1,6кВ

51 562.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX302KT16S 27890820, Модуль: тиристорный; два последовательных диода; 1,6кВ; 300А" 1.

SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4I50P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4I50P 27897007

101 845.06 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4I50P 27897007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; токовый шунт,полумост IGBT" 1.

SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4P 27895007

90 874.31 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4P 27895007, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12E4S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3s Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12E4S 27890130

87 033.99 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12E4S 27890130, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.

SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор

0.0

КОД:

SEMIX303GB12M7P

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусSEMiX® 3p Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяSEMIX303GB12M7P 27895107

89 960.47 ₽

Нет в наличии

+ −

Минимальное количество для товара "SEMIX303GB12M7P 27895107, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT,термистор" 1.