Код производителяGD1000HFX170P2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1000HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD100FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100FFX170C6S

Код производителяGD100FFX170C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100FFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

GD100FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100FFX65C5S

Код производителяGD100FFX65C5S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100FFX65C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

GD100FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100FFY120C5S

Код производителяGD100FFY120C5S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC5 45mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C5S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

GD100FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100FFY120C6S

Код производителяGD100FFY120C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 100А" 1.

GD100HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100HFU120C2S

Код производителяGD100HFU120C2S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD100HFU120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100HFU120C8S

Код производителяGD100HFU120C8S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFU120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD100HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD100HFX170C1S

Код производителяGD100HFX170C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFX170C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD100HFX65C1S

Код производителяGD100HFX65C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100HFY120C1S

Код производителяGD100HFY120C1S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100HHU120C6S

Код производителяGD100HHU120C6S Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А" 1.

GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD100MLX65L3S

Код производителяGD100MLX65L3S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100PIX65C6S

Код производителяGD100PIX65C6S Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100PIY120C6SN

Код производителяGD100PIY120C6SN Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

0.00 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

0.0

КОД:

GD100SGY120D6S

Код производителяGD100SGY120D6S Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В

4 724.71 ₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

Показать еще 20 товаров

1 2 3 4 5 6 7 8 9

Вперед

Фильтры товаров

Срок поставки

- 6 недель
По этим критериям поиска ничего не найдено

Тип транзистора

- IGBT
По этим критериям поиска ничего не найдено

Конструкция диода

- диод/транзистор
- общий вход, транзистор/транзистор
- одиночный транзистор
- транзистор/транзистор
По этим критериям поиска ничего не найдено

Напряжение коллектор-эмиттер

- 1,2кВ
- 600В
- 650В
По этим критериям поиска ничего не найдено

Топология

- 3-уровневый инвертор TNPC, термистор NTC
- 3-уровневый однофазный инвертор, термистор NTC
- 3-фазный диодный мост, 3-фазный мост IGBT выход OE, boost chopper, термистор NTC
- 3-фазный мост IGBT выход OE, термистор NTC
- 3-фазный мост IGBT, термистор NTC
- 3-фазный мост MOSFET, термистор NTC
- boost chopper
- buck chopper
- IGBT x2
- IGBT x3
- Н мост
- одиночный транзистор
- полумост IGBT
- полумост IGBT x3, термистор NTC
- полумост MOSFET
По этим критериям поиска ничего не найдено

Механический монтаж

- винтами
По этим критериям поиска ничего не найдено

Ток коллектора

- 1,2кА
- 1,4кА
- 1,6кА
- 100А
- 10А
- 120А
- 150А
- 15А
- 19А
- 1кА
- 2,4кА
- 200А
- 20А
- 225А
- 24А
- 25А
- 29А
- 3,6кА
- 300А
- 30А
- 35А
- 400А
- 40А
- 450А
- 50А
- 600А
- 650А
- 75А
- 800А
- 80А
- 900А
По этим критериям поиска ничего не найдено

Обратное напряжение макс.

- 1,2кВ
- 1,7кВ
- 650В
По этим критериям поиска ничего не найдено

Рассеиваемая мощность

- 101Вт
- 138Вт
- 166Вт
- 196Вт
- 203Вт
- 208Вт
- 235Вт
- 277Вт
- 313Вт
- 348Вт
- 428Вт
- 468Вт
- 592Вт
- 672Вт
- 714Вт
- 852Вт
- 893Вт
- 96Вт
По этим критериям поиска ничего не найдено

Напряжение затвор - эмиттер

- ±20В
По этим критериям поиска ничего не найдено

Напряжение сток-исток

- 1,2кВ
- 1,7кВ
По этим критериям поиска ничего не найдено

Корпус

- B3.7
- C1 34mm
- C2 62mm
- C3 130mm
- C4 140mm
- C5 45mm
- C6 62mm
- C7
- C8 48mm
- D6
- F1.1
- F1.2
- F2.0
- F4.1
- F5.1
- L2
- L2.1
- L2.2
- L2.5
- L3
- L3.0
- L3.1
- L3.2
- P1.0
- P2.0
- TO220
- TO247
- TO247PLUS
По этим критериям поиска ничего не найдено

Тип модуля

- IGBT
- полевой МОП-транзистор
По этим критериям поиска ничего не найдено

Ток стока

- 120А
- 15А
- 200А
- 300А
- 30А
- 400А
- 75А
По этим критериям поиска ничего не найдено

Электрический монтаж

- Press-in PCB
- Press-in PCB, винтами
- винтами
- винтами, коннекторы FASTON
По этим критериям поиска ничего не найдено

Монтаж

- THT
По этим критериям поиска ничего не найдено

Сопротивление в открытом состоянии

- 0,12Ом
- 10мОм
- 15мОм
- 25,6мОм
- 5,8мОм
- 6,83мОм
- 60мОм
- 7,5мОм
По этим критериям поиска ничего не найдено

Технология

- Advanced Trench FS Fast IGBT
- Advanced Trench FS IGBT
- NPT Ultra Fast IGBT
- SiC
- Trench FS IGBT
По этим критериям поиска ничего не найдено

Заряд затвора

- 0,12мкC
- 0,14мкC
- 0,19мкC
- 0,1мкC
- 0,22мкC
- 0,27мкC
- 0,35мкC
- 0,37мкC
- 0,49мкC
- 0,52мкC
- 0,86мкC
- 70нC
- 80нC
По этим критериям поиска ничего не найдено

Время включения

- 0,1мкс
- 103нс
- 163нс
- 172нс
- 180нс
- 198нс
- 21нс
- 23нс
- 264нс
- 26нс
- 282нс
- 36нс
- 37нс
По этим критериям поиска ничего не найдено

Напряжение затвор-исток

- -4...15В
- -4...20В
- -4...22В
- ±20В
По этим критериям поиска ничего не найдено

Вид упаковки

- туба
По этим критериям поиска ничего не найдено

Ток коллектора в импульсе

- 1,2кА
- 1,3кА
- 1,6кА
- 1,8кА
- 100А
- 120А
- 150А
- 160А
- 2,4кА
- 2,8кА
- 200А
- 20А
- 225А
- 2кА
- 3,2кА
- 300А
- 30А
- 360А
- 4,8кА
- 400А
- 40А
- 450А
- 45А
- 50А
- 600А
- 60А
- 7,2кА
- 70А
- 75А
- 800А
- 80А
- 900А
- 90А
По этим критериям поиска ничего не найдено

Ток стока в импульсном режиме

- 1,096кА
- 1,664кА
- 154А
- 250А
- 548А
- 77А
- 822А
По этим критериям поиска ничего не найдено

Характеристики полупроводниковых элементов

- integrated anti-parallel diode
По этим критериям поиска ничего не найдено

Время выключения

- 200нс
- 208нс
- 306нс
- 334нс
- 338нс
- 362нс
- 369нс
- 484нс
- 493нс
- 559нс
- 607нс
- 668нс
По этим критериям поиска ничего не найдено

Сбросить

Интернет-магазин

О нас
Оплата и доставка
Политика конфиденциальности
Контакты РнД
Контакты МО
Карта сайта
Техническая документация

Ростов-на-Дону

г. Ростов-на-Дону, ул. Красноармейская, дом № 9, офис 10
+7(499)550-50-61 (звонок бесплатный)
+7(863)247-65-68
Пн-Пт 9.00 - 18.00
s-e@7-el.ru
Посмотреть на карте

Цены на сайте носят информационный характер и не являются публичной офертой