Бренды :: STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD150HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А

0.0

КОД:

GD150HHU120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HHU120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 150А" 1.

GD150MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD150MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150MLX65L3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

GD150PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD150PIY120C6SN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150PIY120C6SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65F1S

6 956⁴⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJX65L2S

5 768⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F1S

7 290⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F4S

7 728²² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120F5S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF5.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120F5S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD15PJY120F5S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А

0.0

КОД:

GD15PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD15PJY120L2S

6 727²⁷ ^₽

Доступность: 21 шт.

Минимальное количество для товара "GD15PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 15А" 1.

GD1600SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; винтами

0.0

КОД:

GD1600SGX170C3S

Конструкция диодаобщий вход, транзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1600SGX170C3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1600SGX170C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий вход; IGBT x2; винтами" 1.

GD200FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А

0.0

КОД:

GD200FFX65C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFX65C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

GD200FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А

0.0

КОД:

GD200FFY120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200FFY120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 200А" 1.

GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFU120C2S

23 537⁸⁸ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD200HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD200HFX170C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX170C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD200HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD200HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD200HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD200HFX65C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD200HFX65C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD200HFX65C8S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFX65C8S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFX65C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD200HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFY120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD200HFY120C8S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200HFY120C8S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD200TLQ120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC

0.0

КОД:

GD200TLQ120L3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусL3 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD200TLQ120L3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD200TLQ120L3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-уровневый инвертор TNPC" 1.

GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65F1S

7 290⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD20PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А

0.0

КОД:

GD20PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD20PJX65L2S

7 186⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD20PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 20А" 1.

GD225HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD225HFX170C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD225HFX170C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD225HFX170C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.