Бренды :: STARPOWER SEMICONDUCTOR

GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD100HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFX65C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HFY120C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100HHU120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100HHU120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100HHU120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; Н мост; Urmax: 1200В; Ic: 100А" 1.

GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор

0.0

КОД:

GD100MLX65L3S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL3.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100MLX65L3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100MLX65L3S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; 3-уровневый однофазный инвертор" 1.

GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А

0.0

КОД:

GD100PIX65C6S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100PIX65C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100PIX65C6S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 100А" 1.

GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD100PIY120C6SN

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100PIY120C6SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100PIY120C6SN, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В" 1.

GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6

0.0

КОД:

GD100SGY120D6S

Конструкция диодаодиночный транзистор КорпусD6 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD100SGY120D6S

4 665⁷² ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD100SGY120D6S, Модуль: IGBT; одиночный транзистор; одиночный транзистор; D6" 1.

GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65F1S

6 311⁵⁵ ^₽

Доступность: 24 шт.

Минимальное количество для товара "GD10PJX65F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJX65L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.5 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJX65L2S

5 125⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD10PJX65L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 650В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F1S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF1.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F1S

6 374⁰⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F1S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120F4S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусF4.1 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120F4S

6 811⁵⁵ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD10PJY120F4S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А

0.0

КОД:

GD10PJY120L2S

Конструкция диодадиод/транзистор КорпусL2.2 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD10PJY120L2S

5 768⁹⁴ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD10PJY120L2S, Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1200В; Ic: 10А" 1.

GD1200HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD1200HFY120C3S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1200HFY120C3S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1200HFY120C3S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD1200SGX170C3SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD1200SGX170C3SN

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC3 130mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1200SGX170C3SN

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1200SGX170C3SN, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; IGBT x2; Urmax: 1700В" 1.

GD1400HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD1400HFX170P2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1400HFX170P2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1400HFX170P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD1400HFY120P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD1400HFY120P2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусP2.0 Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD1400HFY120P2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD1400HFY120P2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD150FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А

0.0

КОД:

GD150FFX65C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150FFX65C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150FFX65C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

GD150FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А

0.0

КОД:

GD150FFY120C6S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC6 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150FFY120C6S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150FFY120C6S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; 3-фазный мост IGBT; Ic: 150А" 1.

GD150HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD150HFU120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFU120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFU120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD150HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В

0.0

КОД:

GD150HFX170C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFX170C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFX170C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1700В" 1.

GD150HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В

0.0

КОД:

GD150HFX65C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFX65C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFX65C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 650В" 1.

GD150HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD150HFY120C1S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC1 34mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C1S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C1S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD150HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD150HFY120C2S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC2 62mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C2S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C2S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.

GD150HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В

0.0

КОД:

GD150HFY120C8S

Конструкция диодатранзистор/транзистор КорпусC8 48mm Механический монтажвинтами Напряжение затвор - эмиттер±20В Обозначение производителяGD150HFY120C8S

0⁰⁰ ^₽

Нет в наличии

Минимальное количество для товара "GD150HFY120C8S, Модуль: IGBT; транзистор/транзистор; полумост IGBT; Urmax: 1200В" 1.